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Cette étude en vue de l’augmentation de la tenue en tension des composants de puissance en carbure de silicium a porté à la fois sur la détermination de certains paramètres physiques du matériau (coefficients d’ionisation des électrons et des trous) et sur l’analyse du comportement sous polarisation inverse de diodes bipolaires. Les caractérisations électriques ont été complétées par des mesures OBIC (Optical Beam Induced Current). Le début de ces travaux de thèse a été consacré à la mise en place du banc de mesures expérimental OBIC en tenant compte des spécificités du matériau. L’étude bibliographique de différentes méthodes d’extraction des coefficients d’ionisation dans d’autres matériaux a conduit à envisager une procédure adaptée au SiC et visant à minimiser les erreurs engendrées par les hypothèses simplificatrices. Pour cela nous avons conçu et réalisé un composant spécifique (diode Schottky à grille semi-transparente) qui permet d’évaluer les coefficients d’ionisation à partir des variations du facteur de multiplication (M) en fonction de la tension inverse appliquée, obtenues par mesures OBIC. Les paramètres de ce dispositif protégé par extension latérale de jonction implantée ont été optimisés par simulation à l’aide du logiciel ISE. L’étude des comportements électriques de plusieurs lots de diodes 1,5 kV dont les protections (JTE) ont été réalisées avec des dopants différents (Bore ou Aluminium) a révélé l’impact de différentes configurations de recuit post-implantation ionique sur la tenue en tension et sur le comportement en direct. Le banc de mesures OBIC s’est avéré efficace dans l’étude de la répartition du champ électrique des structures étudiées, il a notamment révélé l’influence de divers paramètres (profil de dopage de l’émetteur, dopage de la JTE...) sur le claquage des composants en SiC. La dernière étape de ces travaux de thèse visant à l’augmentation de la tenue en tension a été la réalisation et la caractérisation de diodes conçues pour tenir une tension de 5 kV.
L'OBJET DE LA THESE EST D'ETUDIER LA TENUE EN TENSION DE DIODES DE PUISSANCE, BIPOLAIRES ET SCHOTTKY, REALISEES SUR DES SUBSTRATS EN CARBURE DE SILICIUM DE POLYTYPE SIC-6H. CES DIODES POSSEDENT UNE PROTECTION PERIPHERIQUE DE TYPE MESA OU PLANE AVEC UNE EXTENSION LATERALE DE JONCTION ENCORE APPELEE JTE DONT LES CARACTERISTIQUES ONT ETE OPTIMISEES PAR SIMULATION GRACE AU LOGICIEL MEDICI. LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DE CES DIODES AINSI QUE LEURS LIMITATIONS LIEES A LA QUALITE CRISTALLINE DU MATERIAU OU A DES CONTRAINTES TECHNOLOGIQUES ONT ETE ETUDIEES. NOUS AVONS AINSI TESTE DES STRUCTURES MESA CAPABLES DE TENIR UNE TENSION INVERSE DE 1100 V OU DES DIODES JTE AVEC UNE TENUE EN TENSION DE 1500 V POUR LES BIPOLAIRES ET 1200 V POUR LES SCHOTTKY, AVEC DES COURANTS DE FUITE CLASSIQUEMENT TROUVES DANS LA LITTERATURE (
Le carbure de silicium (SiC) est un materiau semi-conducteur a large bande d'energie interdite. Ce materiau possede des caracteristiques en temperature et une tenue aux champs electriques bien superieures a celles du silicium. Les dispositifs a base de ce materiau (SiC) sont bien adaptes pour fonctionner dans des environnements a haute temperature, haute puissance, haute tension et haute radiation. Ces caracteristiques permettent des ameliorations significatives dans une grande variete d'applications et de systemes de puissance. Dans ce travail on presente des etudes analytiques comparatives des modeles des composants a semi-conducteurs en SiC, ainsi que les principales caracteristiques statiques, dynamiques, et thermiques des meilleurs composants comme SiC-JFET, SiC diode Schottky et le SiC-MOSFET, de puissance commercialises de different constructeurs en raison d'elaborer un plan de choix guidant les concepteurs des circuits d'electronique de puissance de selectionner le composant le plus adapte a leur cahier de charge selon leurs objectifs et selon les performances de leurs convertisseurs de puissance.
Actuellement, la majorité des composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance est réalisée à partir de silicium. Afin de répondre aux nouvelles contraintes électriques et thermiques imposées par la montée en tension et en densité de puissance des convertisseurs d'énergie électrique, une solution repose sur l'emploi d'un semi-conducteur à large bande interdite tel que le carbure de silicium (SiC), du fait de son champ électrique critique (EC) environ dix fois plus élevé que celui du silicium et de sa capacité à fonctionner à des températures supérieures à 200 °C. Une revue des nombreuses publications concernant des diodes en SiC de tenue en tension élevée, voire leur disponibilité commerciale (jusqu'à 10 kV), est présentée, qui montre les progrès réalisés grâce aux efforts portés sur l'amélioration du matériau et l'optimisation de la protection périphérique des composants. L'étape de passivation primaire reste une étape critique très souvent mentionnée. Beaucoup moins de travaux prennent en considération l'impact des matériaux de passivation secondaire et d'encapsulation. L'objectif de cette thèse est de contribuer à une meilleure connaissance des paramètres et des mécanismes de rupture impactant la tenue en tension à l'état bloqué de l'ensemble que forment la puce et son l'environnement isolant électrique. Ainsi, une étude expérimentale de l'influence de différents paramètres liés au semi-conducteur ainsi qu'aux matériaux de passivation et d'encapsulation présents en surface de la puce a été menée, à l'aide de diodes en SiC-4H avec protection périphérique par poche implantée, réalisées par la société IBS, dans le cadre du projet de recherche 'FilSiC'. Dans un premier temps, une étude par simulation numérique de l'ensemble de la structure (SiC, électrodes métalliques, isolants) a été effectuée à l'aide du logiciel Sentaurus Device (Synopsys). Elle a permis de quantifier les contraintes en champ électrique dans toute la structure pour une tension appliquée donnée, et leur sensibilité aux caractéristiques des matériaux isolants prises en compte. Cette étude a également servi au choix des paramètres liés au substrat épitaxié et à la géométrie latérale et en surface des diodes (les paramètres technologiques étant fixés par ailleurs), pertinents pour l'étude expérimentale de leur tension de rupture, dans une gamme de 1 kV à 6 kV. En parallèle, la caractérisation électrique, au sein de structures Métal-Isolant-Semi-conducteur, du matériau de passivation primaire utilisé (dépôt épais de dioxyde de silicium), dans une gamme de température jusqu'à 300 °C, a permis de déterminer ses propriétés électriques, dont la rigidité diélectrique. Le travail a ensuite porté sur la caractérisation à température ambiante de la tension de rupture de la structure complète des différentes diodes fabriquées, effectuée sous vide et sous azote à la pression atmosphérique. Les comportements expérimentaux visualisés sous vide au moment du claquage, et couplés aux informations issues des simulations, ont notamment permis d'estimer les valeurs des champs maximaux induits dans les différents matériaux isolants, et de corréler leur impact avec les valeurs de rigidité diélectrique connues pour ces isolants. Les résultats complémentaires sous azote ont permis de confirmer certains paramètres technologiques et mécanismes mis en jeu lors du claquage des diodes d'autre part. Plusieurs conclusions utiles pour l'optimisation des paramètres technologiques (épitaxie et poche) et des couches isolantes de passivation et d'encapsulation (épaisseur, permittivité) de la diode 'haute tension' en SiC ont pu être dégagées de ces travaux.
Aujourd'hui le carbure de silicium, SiC, est un matériau qui permet le développement de nouveaux composants de puissance. Le SiC est un semi-conducteur à grand gap, qui permet notamment de fabriquer des composants haute tension ou haute température. Des diodes PiN ayant des tenues en tension allant jusqu'à 5kV ont déjà développés au CEGELY. Ce travail de thèse entre dans le cadre de la modélisation et la caractérisation des diodes 4H en carbure de silicium ont été abordées notamment avec des outils de simulation numérique de type éléments finis. Ce modèle a été appliqué par la suite à la simulation des différents circuits de mesures excitant un comportement spécifique de la diode. Le circuit de DMTVCA (Depletion Mode Transient Voltage and Current Analyse) permet de ne pas se placer en forte injection. Il permet d'extraire le dopage et l'épaisseur de la couche faiblement dopée tenant la tension et la surface de la zone active. Le circuit d'OCVD (Open Circuit Voltage Decay) permet de solliciter la diode en forte injection sans passer par une phase complexe de recouvrement inverse. Il permet d'extraire la durée de vie ambipolaire. Enfin la cellule de commutation inductive ou résistive permet de valider dans un contexte de commutation plus réaliste la modélisation et les paramètres extraits. Cela a permis de mettre au point une procédure d'extraction des paramètres de conception des diodes PIN en SiC. Enfin, Pour caractériser le comportement optimal de la diode PiN, nous avons développé une analyse expérimentale, dans le circuit de DMTVCA, de la condition de percement: traversante (Punch-Through) ou non traversante (Non-Punch-Through).
EN ELECTRONIQUE, EN GENERAL, ET EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE, EN PARTICULIER, LES COMPOSANTS A BASE DE SILICIUM COMMENCENT A MONTRER DES LIMITES DIRECTEMENT IMPUTABLES AU MATERIAU. AVEC SES EXCELLENTES PROPRIETES PHYSIQUES, LE CARBURE DE SILICIUM (SIC) EST POTENTIELLEMENT UN CONCURRENT SERIEUX DU SILICIUM. LES RECENTS DEVELOPPEMENTS, EN CE QUI CONCERNE LA CROISSANCE DE CE MATERIAU, FONT DE LA FABRICATION DE DISPOSITIFS DE PUISSANCE EN SIC UN OBJECTIF A MOYEN TERME. DANS CE CADRE, LA MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE GRAVURE EST IMPORTANTE PUISQU'ELLE INTERVIENT DANS LA REALISATION DE PROTECTIONS PERIPHERIQUES (MESA) ET DE CERTAINS COMPOSANTS (MOSFET EN TRANCHEE). LA GRAVURE A ETE REALISEE DANS UN REACTEUR DECR DANS UN MELANGE GAZEUX A BASE DE SF#6 ET D'O#2. UNE ETUDE PARAMETRIQUE A D'ABORD PERMIS LA DETERMINATION DES GRANDEURS PLASMA PERTINENTES : LA CONCENTRATION EN FLUOR ET LE BOMBARDEMENT IONIQUE. LE DEVELOPPEMENT D'UN MODELE PROPOSE DANS LA LITTERATURE A PERMIS D'ABOUTIR A UNE EXPRESSION MATHEMATIQUE DE LA VITESSE DE GRAVURE. LES PREDICTIONS DE CE MODELE ONT ETE CONFRONTEES AVEC LES RESULTATS EXPERIMENTAUX. LES SURFACES DE GRAVURE ONT ENSUITE ETE ETUDIEES D'UN POINT DE VUE MORPHOLOGIQUE, CHIMIQUE, ET ELECTRIQUE. LA RUGOSITE DES SURFACES AVANT ET APRES GRAVURE ONT ETE COMPAREES . UN PROCEDE DE CONTROLE DE LA PENTE DE LA GRAVURE A ETE MIS AU POINT. DES ANALYSES XPS ONT PERMIS DE COMPARER LES COMPOSITIONS CHIMIQUES DE LA SURFACE, AVANT ET APRES GRAVURE, POUR DEUX TYPES DE PLASMA (SF#6 PUR ET SF#6/O#2). ENFIN, DES CONDENSATEURS MOS ONT PERMIS DE CARACTERISER ELECTRIQUEMENT L'EFFET DE LA GRAVURE SUR LES SURFACES PLANES ET SUR LES FLANCS. LA SIMULATION ET LA REALISATION DE DIODES BIPOLAIRES PROTEGEES PAR MESA FONT L'OBJET DU DERNIER CHAPITRE. LES SIMULATIONS ELECTRIQUES DES COMPOSANTS ONT ETE REALISEES AVEC LES LOGICIELS TSUPREM4 ET MEDICI DE LA SOCIETE TMA. LA PROFONDEUR ET L'ANGLE DE LA GRAVURE ONT AINSI PU ETRE OPTIMISES. LES TENUES EN TENSION OBSERVEES SUR LES DIODES AINSI REALISEES ET LES SIMULATIONS ONT ETE COMPAREES. L'ORIGINE DES ECARTS A ETE DISCUTE AU MOYEN D'OBSERVATIONS AU MEB ET DE MESURES ELECTRIQUES.
Actuellement, les systèmes à base de composants de puissance connaissent un fort développement dans le domaine des hautes tensions et des hautes températures. Le carbure de silicium (SiC) semble un matériau très prometteur pour remplir ces critères. Dans ce cadre, nous nous sommes concentrés sur l’analyse de composants de puissance, notamment les transistors JFET ainsi que leurs protections périphériques. Dans les gammes de tension envisagées, les composants seront de type verticaux afin d’assurer la tenue en tension. Le but de la thèse est d’améliorer la compréhension des phénomènes qui régissent le fonctionnement de ces composants. Leur structure présente la particularité de comporter deux canaux distincts : un canal vertical et un canal horizontal. On cherche donc à analyser leur fonctionnement interne afin d’optimiser leurs caractéristiques à l’état passant et plus particulièrement le pincement du canal, les lignes de courant et les équipotentielles. Pour cela, nous avons mis en œuvre un logiciel de simulation éléments finis (MediciTMA) afin d’étudier les caractéristiques de ces composants et d’observer l’influence des différents paramètres qui les définissent, qu’ils soient géométriques ou physiques (dopage des différentes zones). Nous avons développé un modèle analytique permettant de prédéterminer les caractéristiques statiques de ces transistors afin d’aider à leur conception. Ensuite nous allons comparer nos résultats avec les caractéristiques réelles des JFET fabriqués par la société SiCED qui présentent également deux canaux et les modélisations analytiques associées. Dans la dernière partie nous avons étudié la tenue en tension des composants SiC verticaux. Celle-ci se fait non seulement dans le volume mais également en périphérie sur la face supérieure de la puce. La structure de protection périphérique que nous avons plus particulièrement étudiée est de type JTE (Junction Termination Extension). Nous avons analysé l’influence de la largeur de la JTE et surtout son dopage afin d’obtenir la tenue en tension maximale. En conclusion, cette thèse permet d’améliorer la connaissance de l’influence des différents paramètres de conception sur le comportement du JFET à deux canaux, que ce soit à l’état bloqué (JTE) ou à l’état passant. Pour cela un modèle analytique a été développé qui permet une aide à la conception, mais aussi de mieux prédéterminer les pertes dans ces composants.
Les systèmes d’électroniques de puissance ont grandement bénéficié du progrès révolutionnaire des composants de puissance en silicium (Si). Actuellement la quasi-totalité des applications d’électronique de puissance utilise des composants en Si. Les applications d’électroniques de puissance à haute température, haute tension et forte puissance sont de plus en plus croissantes et le silicium atteint ses limites. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d’énergie interdite. Les propriétés électriques de ce matériau devancent celles du silicium, ce qui signifie qu’un composant en SiC présente de meilleures performances par rapport à son équivalent en silicium (Si). Les différents travaux à travers le monde démontrent un avenir prometteur pour le SiC dans la prochaine génération des composants de puissance. Le transistor JFET-SiC est l’interrupteur le plus avancé dans son développement technologique car il est au stade de la pré-commercialisation. Un modèle de type circuit pour les composants en SiC présente une extrême importance pour l’analyse et la conception de circuits de convertisseurs, en particulier, si une comparaison avec les composants en Si est établie. Le travail réalisé au cours de cette thèse, consiste à caractériser électriquement plusieurs versions de JFET-SiC pour des températures comprises entre 25°C et 225°C. Les caractérisations sont basées sur des mesures DC (Courant - Tension) en utilisant un traceur de caractéristiques, des mesures AC (Capacité - Tension) en utilisant un analyseur d’impédance et des mesures en commutation sur charge R-L (Résistive-Inductive). L’objectif est d’établir un modèle analytique du transistor JFET-SiCED. Ce modèle est basé sur l’analyse physique et comportementale du JFET en tenant compte de l’influence de la température et de la présence des deux canaux intrinsèques. Le modèle a été développé en langage VHDL-AMS et validé en régime statique ainsi qu’en dynamique en utilisant le simulateur SIMPLORER 7.0. La validation du modèle montre une excellente concordance entre les mesures et la simulation.
L'expansion, des réseaux électriques en tous genres : distribution d'énergie, télécommunication, dans les secteurs tant industriel que domestique a fortement contribué à l'augmentation des risques d'apparition de défauts, tels qu'une surtension ou une surintensité. Cette multiplicité et complexité des réseaux électrique et le besoin de disposer de systèmes fiables et à haut rendement a favorisé le développement de dispositifs de protection, et plus particulièrement de la protection série. Du fait de la forte énergie apparaissant lors d'un court-circuit, plusieurs contraintes apparaissent pour la conception d'un composant limiteur de courant. La première concerne son aptitude à limiter et dissiper l'énergie du court-circuit, sous forme de chaleur. La deuxième contrainte est la capacité du composant (ou du système) à fonctionner sous haute tension, du fait des surtensions pouvant apparaître dans les installations électriques en cas de défaut. Ces deux contraintes, et les propriétés physiques du carbure de silicium, ont conduit à une étude de faisabilité d'un composant limiteur de courant en utilisant du SiC-4H, d'un calibre en courant de 32 A pour une tension nominale VN = 690 V. Une structure de type VJFET a été retenue, puis optimisée en tenant compte du cahier des charges, des particularités physiques du SiC et de la technologie de fabrication associée. Un premier lot de composant a été fabriqué, mettant en évidence la possibilité d'obtenir un composant limiteur de courant bidirectionnel en courant et en tension, fonctionnant pour des tensions maximale de l'ordre de 970V. Les divers résultats issus du premier lot de composants ont permis d'effectuer quelques ajustements pour la fabrication d'un deuxième lot de composants afin de valider la faisabilité d'un composant limiteur de courant, d'étudier la mise en parallèle massive de structures élémentaire pour atteindre les objectifs en courant et de s'intéresser également à la possibilité de l'intégration système du limiteur de courant. La simultanéité d'obtention d'un MESFET latéral conjointement au limiteur de courant ouvre ces perspectives d'obtention d'un limiteur de courant commandé autonome. Les ajustements du processus de fabrication ont été validés sur un lot intermédiaire. L'efficacité de la protection série a ensuite été validée dans un application faible puissance (IN = 16 mA, VN = 240 V), démontrant l'aptitude du composant élémentaire à limiter le courant de court-circuit en un temps très faible (t
Ces dernières années ont vu apparaître sur le marché les premiers transistors de puissance de type MOSFET en carbure de silicium. Ce type de composant est particulièrement adapté à la réalisation d'équipement électrique à haut rendement et capable de fonctionner à haute température. Néanmoins, la question de la fiabilité doit être posée avant de pouvoir envisager la mise en œuvre de ces composants dans des applications aéronautiques ou spatiales. Les mécanismes de défaillance liés à l'oxyde de grille ont pendant longtemps retardé la mise sur le marché des transistors à grille isolée en carbure de silicium. Cette étude s'attache donc à estimer la durée de vie des MOSFET SiC de 1ére génération. Dans un premier temps, le mécanisme connu sous le nom de Time Dependent Dielectric Breakdown(TDDB) a été étudié au travers de résultats expérimentaux issus de la bibliographie. Notre analyse nous a permis de justifier de l'emploi d'une loi de Weibull pour modéliser la distribution des temps à défaillance issue de ces tests. Les résultats nous ont également permis de confirmer l'amélioration significative de la fiabilité de ces structures vis-à-vis de ce mécanisme. Dans un second temps, l'impact du mécanisme d'instabilité de la tension de seuil sur la fiabilité a été quantifié au travers de tests de vieillissement de type HTGB. Les données de dégradation ainsi collectées ont été modélisées à l'aide d'un processus gamma non-homogène, qui nous a permis de prendre en compte la variabilité entre les composants testés dans des conditions identiques et de proposer des facteurs d'accélération en tension et en température pour ce mécanisme. Enfin, ces travaux ont permis d'ouvrir la voie à la mise en œuvre d'outils de pronostic de la durée de vie résiduelle pour les équipements électriques.